- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
۳- ترانزیستور اثر میدانی (fet) ۴- ترانزیستور اثر میدانی (mosfet) ۱- ترانزیستور دوقطبی پیوندی (bjt) در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه b جریان عبوری از دو پایه c و e کنترل می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور PNIP ترانزیستور پیوندی ذاتی که لایه نیمرسانای ذاتی آن بین ناحیه نوع P بیس و ناحیه نوع N کلکتور قرار دارد : pnip transistor
به خواندن ادامه دهید
در این مقاله به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق پرداخته می شود. در ابتدا مقدمه ای از تکنولوژی سیلیکون بیان می شود و به مشکلاتی که با روند کوچک ...
به خواندن ادامه دهید
این اصطلاح تخصصی مربوط به رشته مهندسی برق است. واژه های فارسی مشابه با اصطلاح تخصصی سر سیم فلزی و معادل انگلیسی آنها در لیست زیر قابل مشاهده است. فارسی. انگلیسی تلفظ. زاویه پیش افتادگی. angle of lead ...
به خواندن ادامه دهید
طراحی آشکار ساز نور uv با استفاده از تزریق نانوذرات سیلیکون درلایه اکسیدsio2، با استفاده از ساختار فلز- اکسید - نیمه هادی. در این پایان نامه ، ساختار یک آشکارساز نور فرابنفش با استفاده از تزریق ...
به خواندن ادامه دهید
اولین تکنیک‌ها برای ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله‌های کربنی (cnt) شامل طرح‌بندی نوارهای موازی فلز در سطح زیرلایه دی اکسید سیلیکون، و سپس رسوب cnt ها در بالا در یک الگوی تصادفی بود ...
به خواندن ادامه دهید
در سال ۱۹۵۹، Dawon Kahng و مارتین M.Atalla در آزمایشگاه‌های بل، فلز اکسید نیمه هادی ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) به عنوان شاخه‌ای به طراحی FET اختراع شد. فهرست مطالب: مقدمه. ساختار ترانزیستور ماسفت
به خواندن ادامه دهید
این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی و استفاده از تکنولوژی سیلیسیوم روی عایق در آن می پردازد و در این راستا چندین ساختار نوین برای آنها ارایه می شود.
به خواندن ادامه دهید
igfet که با نام mosfet یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید-فلز یا به اختصار ترانزیستور ماسفت نیز شناخته می شود، نوع دیگری از ترانزیستور اثر میدانی (fet) است که ورودی یا گیت آنها از نظر الکتریکی نسبت به کانالی که جریان را ...
به خواندن ادامه دهید
اکسید گیت یک لایه دی‌الکتریک است که پایه گیت یک ماسفت ( ترانزیستور اثر میدان فلز-اکسید-نیمرسانا) را از پایه‌های سورس و درین زیرین و همچنین کانال رسانا که هنگام روشن بودن ترانزیستور سورس و ...
به خواندن ادامه دهید
بررسی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق با استفاده از نرم افزار سیلواکو بررسی اثر آسایش حرارتی تطبیقی بر میزان مصرف انرژی یک ساختمان در اقلیم های مختلف ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان مدوله سازی ترانزیستوری که ساختار آن شبیه به MOSFET است MOSDFET واژه ای است که در دانشگاه اپلی نویز ، کرنل و صنایع هانی ول به کار برده می شود و معنایی شبیه به HEMT TEGFET یا SDHT دارد : modulation - doped field - effect transistor
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمرسانا اکسید-فلز یا ماسفِت معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور[۱] مهم‌ترین قطعهٔ مداری در الکترونیک است و برای تقویت یا قطع‌ووصل سیگنال به کار می‌رود. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه‌رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
چکیده مقاله: در این ترانزیستورھای اثر میدان نانولوله کربنی، نوید بخش ترین قطعه نانو مقیاس برای پیاده سازی مدارات با کارکرد بالا، چگالی زیاد و توان مصرفی پایین می باشد. یک ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور تخلیه ای ترانزیستور اثر - میدانی ( جی فت ) ، فت فلز - اکسید ( ماسفت ) ، با فت فلز نیمرسانا ( مسفت ) از نوع در حالت عادی وصل که اگر پتانسیل سورس و گیت آن یکسان و بایاس گیت آن صفر باشد ، هدایت می کند برای افزایش جریان ...
به خواندن ادامه دهید
To overcome the disadvantages posed by FETs such as the slow operation, high drain resistance and moderate input impedance, MOSFETs were invented. MOSFET is Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor in short. The figure below shows a practical MOSFET. Practical MOSFET In this article, let us learn about the basics of MOSFET.MOSFET …
به خواندن ادامه دهید
در این نوع ترانزیستور اثر میدانی، درین و منبع به شدت دوپ شده از ناحیه n+ و زیرلایه یا بدنه از نوع P هستند. جریان در این نوع ماسفت به دلیل الکترون‌هایی با بار منفی اتفاق می‌افتد.
به خواندن ادامه دهید
بررسی و مدل سازی ترانزیستور نیمه هادی گالیوم آرسناید. ترانزیستورهای اثر میدان، قطعات کنترل شونده با ولتاژ می باشند. ترانزیستورهای ماسفت، بسته به کانالی که ولتاژ اعمالی به گیت در زیر سطح لایه ...
به خواندن ادامه دهید
یک قطعه چندگیتی، ماسفت چندگیتی یا ترانزیستور اثر میدانی چندگیتی ( MuGFET) به یک ماسفت (ترانزیستور اثر میدانی فلز - اکسید و نیمرسانا) اشاره دارد که شامل بیش از یک گیت در یک قطعه تکی است. گیت‌های ...
به خواندن ادامه دهید
Mosfet چیست؟. ۲۶ مهر ۱۳۹۷ مقالات پاورز. ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلزمی باشد. Mosfet مخف (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) ترانزیستور معروف‌ترین اثر میدان در مدارهای آنالوگ و ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر - میدانی پیوندی [ جی فت] ترانزیستور سه لایه ی تک قطبی که تنها بر مبنای حرکت بابر الکترون یا حفره - کار می کند در ترانزیستور به طور عادی وصل هر گاه ولتاژ درین ( drain) در جی فت کانال - N نسبت به سورس ( source) مثبت و یا ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت چیست و چگونه کار میکند ؟ یکی از متداول ترین انواع ترانزیستور FET گیت عایق بندی ایزوله که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار میگیرد، ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلز (Metal Oxide Semiconductor Field Effect ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور soi. یک mosfet soi یک دستگاه نیمه هادی (mosfet) است که در آن یک لایه نیمه هادی مانند سیلیکون یا ژرمانیوم افت ولتاژ لوازم جانبی متصل نیست. تولید ویفر soi روند simox روند قطع هوشمند. اکسید سیلیکون ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور های اثر میدان اکسید فلز در دو نوع N-Channel و P-Channel موجود هستند. متداول ترین و محبوب ترین نوع در بین تمام ترانزیستور ها ماسفت ها هستند.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستوردو قطبی : bipolar transistor. ترانزیستور اثر - میدانی پیوندی [ جی فت] ترانزیستور سه لایه ی تک قطبی که تنها بر مبنای حرکت بابر الکترون یا حفره - کار می کند در ترانزیستور به طور عادی وصل هر گاه ولتاژ درین ( drain) در جی فت کانال ...
به خواندن ادامه دهید
نتایج نشان میدهد که ساختار پیشنهادی مشخصههای توان و فرکانسی بهتری نسبت به ساختار متداول ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-نیمههادی در تکنولوژی SOI را دارا است. کلیدواژه‌ها. واژه‌های کلیدی ...
به خواندن ادامه دهید
ساختار ترانزیستور اثر میدان اکسید فلز تفاوت زیادی با jfet دارد. ترانزیستورهای نوع تخلیه و افزایشی mosfet از یک میدان الکتریکی که توسط ولتاژ گیت ایجاد شده برای تغییر جریان حامل های الکتریکی در طول کانال درین ــ سورس ( الکترون ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهید
آلومینیوم. اولین ماسفت (ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیمرسانا یا ترانزیستور ماس) توسط مهندس مصری محمد عطاالله و مهندس کره‌ای داوون کانگ در آزمایشگاه‌های بل در سال ۱۹۵۹ اختراع شد و در سال ۱۹۶۰ نشان داده شد.
به خواندن ادامه دهید
مقدمه: ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
انواع ترانزیستورهای فلز – اکسید-نیمه هادی: این ترانزیستورها، بسته به کانالی که در آنها شکل میگیرد، به دو نوع تقسیم می شود: ترانزیستور فلز-اکسید-نیمه هادی با کانال نوع n 1 و كانال نوع p 2. عملکرد ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور. ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی توسط دو پیوند p-n، در دو پیکربندی p-n-p یا n-p-n تشکیل می‌شوند. بیس، ناحیه بین پیوندها، به طور معمول بسیار باریک است.
به خواندن ادامه دهید