- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
The acquisition of UnitedSiC has extended Qorvo's reach into the fast-growing markets for electric vehicles (EVs), industrial power, circuit protection, renewables and data center power. This post is a collection of blogs that provide you with a deep dive into a comprehensive understanding of silicon carbide (SiC) power semiconductors and …
به خواندن ادامه دهید
Qorvo is among the few manufacturers with all the required packaging, Si and SiC expertise in one team to accomplish this. Finally, SiC MOSFETs are easier to control with gate resistors, while SiC cascodes have a limited control range, requiring the Qorvo approach of application tailored devices. These devices then offer best-in-class performance.
به خواندن ادامه دهید
انواع ترانزیستور. ترانزیستور اتصال دو قطبی (BJT) ترانزیستور اثر میدان (FET) ترانزیستور اثر میدان پیوندی (JFET) ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز (MOSFET) مغز ما که برای فکر کردن و به خاطر سپردن از 100 ...
به خواندن ادامه دهید
در ترانزیستورهای JFET) Junction Field Effect Transistors) در اثر میدان، با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع ...
به خواندن ادامه دهید
Highest-Performance, Most Efficient SiC FETs. Delivered. With R DS(on) and package combinations ranging from 5.4 to 60 mohm in the 750V UJ4C/SC series and 23 to 70 mohm in the 1200V UF4C/SC series, our Gen 4 SiC FETs provide power designers with the industry's best performance and multiple device options, enabling more design flexibility …
به خواندن ادامه دهید
GREENSBORO, N.C., Nov. 03, 2021 (GLOBE NEWSWIRE) -- Qorvo®(Nasdaq: QRVO), a leading provider of innovative RF solutions that connect the world, announced today that …
به خواندن ادامه دهید
The QPD1025 has significantly better drain efficiency and beats LDMOS by nearly 15 percentage points of efficiency, which is significant in IFF and avionics applications.". Qorvo offers the industry's largest, most innovative GaN-on-SiC portfolio. The company's products deliver high power density, reduced size, excellent gain, high ...
به خواندن ادامه دهید
GREENSBORO, N.C., Nov. 03, 2021 (GLOBE NEWSWIRE) -- Qorvo® (Nasdaq: QRVO), a leading provider of innovative RF solutions that connect the world, announced today that it has acquired Princeton ...
به خواندن ادامه دهید
مقاله تحلیل عملکرد ترانزیستورهای تک الکترونی در دمای اتاق با تغییرات جزیره *** این فایل شامل تعدادی فرمول می باشد و در سایت قابل نمایش نیست ***تحليل عملکرد ترانزيستورهاي تک الکتروني در دماي اتاق با تغييرات جزيره چکيده ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان نوع دیگری از ترانزیستور ها هستند که عموماً به ماسفِت -MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) شناخته می شوند که از پین (pin)، گیت (gate)، سورس (source) و درین (drain) ساخته شده اند ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای سیگنال کوچک تقریباً در همه انواع تجهیزات الکترونیکی استفاده می شوند و هم چنین این ترانزیستورها در چندین کاربرد استفاده می شوند، برخی از آن ها سوئیچ ON یا OFF برای استفاده عمومی ...
به خواندن ادامه دهید
Qorvo, United SiliconCarbide (UnitedSiC), (SiC) 。, United Silicon Carbide Qorvo (EV)、、、 ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت یا ترانزیستورهای اثر میدان سیلیکون اکسید فلز یک دستگاه چهار ترمینال کنترل شده با ولتاژ است که برای اهداف سوئیچینگ و تقویت استفاده می شود. آیا ماسفت می تواند در هر دو جهت حرکت کند؟
به خواندن ادامه دهید
SiC FETs. Qorvo's high-performance silicon carbide (SiC) FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, standard thru-hole (including …
به خواندن ادامه دهید
GREENSBORO, N.C., Nov. 03, 2021 (GLOBE NEWSWIRE) -- Qorvo ® (Nasdaq: QRVO), a leading provider of innovative RF solutions that connect the world, announced today that it has acquired Princeton, New Jersey-based United Silicon Carbide (UnitedSiC), a leading manufacturer of silicon carbide (SiC) power semiconductors. The acquisition of United …
به خواندن ادامه دهید
Qorvo's UJ3C120070K4S is a 1200 V, 70 mohm Gen 3 SiC FET. It is based on a unique cascode circuit configuration, in which a normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The device's standard gate-drive characteristics allows for a true "drop-in replacement" to Si IGBTs, Si FETs, SiC …
به خواندن ادامه دهید
گیت منطقی یک مدل ایده‌آل از محاسبات یا دستگاه الکترونیکی فیزیکی است که یک تابع بولی را اجرا می کند ، یک عملیات منطقی است که روی یک یا چند ورودی باینری انجام می شود که یک خروجی باینری واحد ...
به خواندن ادامه دهید
Greensboro, NC, November 3, 2021 – Qorvo ® (Nasdaq: QRVO), a leading provider of innovative RF solutions that connect the world, announced today that it has …
به خواندن ادامه دهید
GREENSBORO, NC – January 24, 2022 – Qorvo ® (Nasdaq:QRVO), a leading provider of innovative RF solutions that connect the world, today announced a …
به خواندن ادامه دهید
View Our News. Year Type. 09/12/2023. Qorvo Introduces World's Highest Power Ku-Band Satellite Communications Amplifier. 08/31/2023. Qorvo to Present at the Goldman Sachs Communacopia + Technology Conference. 08/29/2023. Qorvo Named a STEM Workforce Diversity Magazine Top 50 Employer for 2023. 08/28/2023.
به خواندن ادامه دهید
Qorvo offers a wide array of silicon carbide (SiC) FETs, JFETs and Schottky Diodes. Our SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, standard thru-hole and surface mount packages, with excellent cost effectiveness. Our SiC JFETs are high-performance normally-on JFET transistors with ultra-low on ...
به خواندن ادامه دهید
GREENSBORO, NC and AUBURN, MI – November 2, 2022 – Qorvo ® (Nasdaq: QRVO), a leading global provider of connectivity and power solutions, and SK …
به خواندن ادامه دهید
- 202111 3 —、、 RF Qorvo®, Inc.（：QRVO）,（SiC）UnitedSiC。. UnitedSiC ...
به خواندن ادامه دهید
News: Microelectronics 4 November 2021. Qorvo acquires silicon carbide power semiconductor supplier UnitedSiC. Qorvo Inc of Greensboro, NC, USA (which provides core technologies and RF solutions for mobile, infrastructure and defense applications) has acquired silicon carbide (SiC) power semiconductor manufacturer …
به خواندن ادامه دهید
Qorvo's silicon carbide (SiC) JFETs are high-performance, normally-on JFET transistors, from 650 to 1700 V, with ultra-low on-resistance (RDS (on)) as low as 25 mohms. Gate charge (QG) is also low, allowing for low conduction and reduced switching loss. These products are also ideal for circuit protection applications.
به خواندن ادامه دهید
SiC JFETs Qorvo's silicon carbide (SiC) JFETs are high-performance, normally-on JFET transistors, from 650 to 1700 V, with ultra-low on-resistance (RDS(on)) as low as 25 mohms. New Power Management Products. PAC5526. 48 V Charge Pump BLDC Motor Driver with Programmable Current. PAC5285. 40 V / 20 W BLDC Controller/Driver …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای نانو لوله کربنی. یکی از سوالات مهم این است که آیا ترانزیستورهای cnt می توانند مزایای عملکردی بهتری نسبت به سیلیکون در طول های زیر ۱۰ نانومتر ارائه دهند یا خیر.
به خواندن ادامه دهید
مزایای استفاده از ترانزیستور اثر میدان (JFET) • ترانزیستور JFET مقاومت ظاهری بسیار بالایی دارد. • ترانزیستور JFET از جمله دستگاه‌های الکترونیکی با مصرف بسیار پایین است. • انواع مختلف ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهید
ساختار ترانزیستورهای اثر میدان. ترانزیستورهای اثر میدان عنصری سه پایه هستند شامل GATE، Drain، Source که به صورت قطعه جداگانه موجود می باشند و مهمترین استفاده از آن ها در ساخت مدارهای مجتمع IC ها می باشد. ...
به خواندن ادامه دهید
The acquisition of UnitedSiC has extended Qorvo's reach into the fast-growing markets for electric vehicles (EVs), industrial power, circuit protection, …
به خواندن ادامه دهید
GREENSBORO, NC – July 26, 2022 – Qorvo ® (Nasdaq: QRVO) today announced seven 750V silicon carbide (SiC) FETs in the surface mount D2PAK-7L package. With this package option, Qorvo's SiC FETs are tailored for the rapidly growing applications of onboard chargers, soft-switched DC/DC converters, battery charging (fast …
به خواندن ادامه دهید
Delivering Big Switching Power in a Small Package with SiC FETs. New semiconductor switch tech emerges occasionally, like SiC and GaN, offering superior power efficiency …
به خواندن ادامه دهید
می توان از آن در مدار دیجیتال استفاده کرد. ماسفت می تواند به عنوان یک تقویت کننده فرکانس بالا استفاده شود. می توان از آن به عنوان یک عنصر پسیو(غیرفعال) مانند مقاومت، خازن و سلف استفاده کرد.
به خواندن ادامه دهید