در فیزیک ، جریان گردابی (انگلیسی: Eddy current) یا جریان فوکُو (فرانسوی: Courants de Foucault)، به جریانهای الکتریکی گردشی و پراکندهای میگویند که در یک جسم رسانا در اثر یک میدان مغناطیسی متغیر با زمان ...
به خواندن ادامه دهیدچکیده مقاله: فریت نیکل آلومینیوم با فرمول مولکولی NiAlxFe2-Xo4 جز فریت های مایکروویو می باشد و بخاطر دارا بودن تلفات الکتریکی و مغناطیسی پایین و نفوذپذیری مغناطیسی قابل کنترل از کاربردهای وسیعی ...
به خواندن ادامه دهیداستخراج سیلیکون از شن. مادهی اولیهی ساخت CPU سیلیکون است که از شنهای بیابانی استخراج میشود. شن بهصورت گسترده در سطح پوستهی زمین وجود دارد و حدود ۲۵ تا ۵۰ درصد از آن را دی اکسید سیلیکون ...
به خواندن ادامه دهیدضریب القایی: ضریب القایی (l) ثابت تناسب است که رابطه بین ولتاژهای ناشی از میزان تغییر زمانی جریان که یک میدان مغناطیسی را تولید میکند تعریف میکند. به عبارت سادهتر، ضریب القایی در واقع پیوند شار در واحد جریان است.
به خواندن ادامه دهیدپس ضریب نفوذپذیری مواد فرومغناطیس (B/H) ثابت نیست و با چگالی شار تغییر میکند. هرچند، برای سیمپیچ با هسته هوایی یا هسته با ماده غیر مغناطیسی مانند چوب یا پلاستیک، این نسبت را میتوان ثابت در نظر گرفت و این ثابت همان μ0 μ 0 یا …
به خواندن ادامه دهیداین نوع از سلف ها معمولا در کنار اسیلاتورها یا نوسان سازها قرار می گیرد. در منابع تغذیه قبل از چوک یا ترانسفورماتور قرار می گیرد که تغییرات و القاهای مغناطیسی را کنترل کند. ج-فریت بید(fb):
به خواندن ادامه دهیدنفوذپذیری مؤثر ایجاد شده بوسیلهی رزونانس در گسترهی فرکانس میکروویو، در بسیاری از متامتریال های تولید شده از مواد غیر مغناطیسی مانند الگوهای اندکتیو، مشاهده می شوند. برای مثال، پاسخ های مغناطیسی مؤثر می تواند با
به خواندن ادامه دهیدمغناطش. مغناطش (به انگلیسی: Magnetization) یا قطبیسازی مغناطیسی، مقدار کمّی پدیده مغناطیسی شدن یا افزایش خاصیت مغناطیسی مواد است. در الکترومغناطیس کلاسیک، میدانی برداری است که چگالی گشتاورهای ...
به خواندن ادامه دهیدسیلیسیم کاربید. 3.16 g·cm -3 (hex.) ؟) سیلیسیم کربید ، سیلیکون کربید (به انگلیسی: Silicon carbide) یا کاربوراندم (به انگلیسی: carborundum) با فرمول شیمیایی SiC، یکی از مواد دیرگداز و نیمه رسانا است که بهصورت خام در ...
به خواندن ادامه دهیدشار مغناطیسی در الکترومغناطیس شبیه جریان در مدار الکتریکی است و خطوط آن، کوتاهترین مسیر را با بالاترین «نفوذپذیری» یا ضریب نفوذ (Permeability) برای حرکت انتخاب میکنند. نیروی عامل تولید شار در ...
به خواندن ادامه دهیددرصد بالایی از وزن فرو آلیاژ شامل یکی از عناصر آلیاژی است و مابقی وزن فرو آلیاژ را آهن تشکیل می دهد. فرو سیلیکو منگنز یکی از فرو آلیاژهای پرکاربرد در صنایع مختلف است که در ساختار آن عناصری ...
به خواندن ادامه دهیدنفوذپذیری انتخابی چیست ؟ نفوذپذیری انتخابی در غشای سلولی تنها به مواد موردنیاز، اجازه ورود یا خروج از سلول را میدهد و به سلول کمک میکند محتویات داخلی خود را تحت کنترل داشته باشد. انتقال مواد از این غشا به صورت فعال و ...
به خواندن ادامه دهیدانواع سلف. بسته به کاربرد، انواع مختلفی از سلفها وجود دارد. آنها دارای فاکتورهای مختلفی هستند، سلفهای فرکانس بالا، سلفهای فرکانس پایین خطوط برق و برخی از سلفهای طراحی شده ی ویژه برای ...
به خواندن ادامه دهید«هیسترزیس مغناطیسی» (Magnetic Hysteresis) به تاخیر ایجاد شده در یک ماده مغناطیسی گفته میشود که به خواص مغناطیسکنندگی ماده مربوط است. در این پدیده ابتدا ماده، مغناطیس شده و سپس مغناطیس زدایی میشود.
به خواندن ادامه دهیدآلترناتور یک دستگاه مولد الکتریسیته است که انرژی مکانیکی را از طریق قطع خطوط قوای مغناطیسی به انرژی الکتریکی تبدیل می کند. از این رو آلترناتور را می توان یک مبدل انرژی نیز نامید. تشریح عملکرد مدار آلترناتور (دینام) به ...
به خواندن ادامه دهیدحرارت هیسترتیک در یک جزء تا دمای کوری رخ می دهد که نفوذپذیری مغناطیسی ماده به 1 کاهش می یابد و گرمایش هیسترتیک کاهش می یابد. گرمایش جریان گردابی اثر گرمایش القایی باقی مانده را تشکیل می دهد.
به خواندن ادامه دهیدنفوذپذیری مغناطیسی آنها کمتر از میباشد (نفوذپذیری خلأ)؛ در نتیجه دیامغناطیسها شکلی از مغناطیس هستند که تنها با یک ماده در حضور یک میدان مغناطیس خارجی به کار گرفته شده ایجاد میشوند.
به خواندن ادامه دهیددر نهایت، با ضرب کردن ضریب بدست آمده در فرمول تجربی، فرمول مولکولی ترکیب را بدست میآوریم: (CH 2O)6= C6H 12O6. از آنجایی که میتوان جرم مولکولی (amu) را با جرم مولی (g/mol) برابر دانست، در نتیجه، اگر جرم ...
به خواندن ادامه دهیددر صورتی که دو محیط مغناطیسی نباشند، میتوان ضریب نفوذپذیری (تراوایی) مغناطیسی را برای هر دو آنها $$mu=mu_{0}$$ در نظر گرفت. ... در صورتی که محیط مغناطیسی نباشد، $$mu_{r}$$ برابر با یک بوده و رابطه به ...
به خواندن ادامه دهیدجریان جابجایی ماکسول. در الکترو مغناطیس جریان جابجایی مقداری است که در معادلات ماکسول ظاهر میشود و بر اساس نرخ تغییرات میدان جابجایی الکتریکی تعریف شدهاست. جریان جابجایی دارای واحد چگالی ...
به خواندن ادامه دهیدروش نوشتن فرمول مولکولی: فرم متداول برای نوشتن Molecular formula نوشتن علامت برای هر عنصر و به دنبال آن یک زیر نویس است که تعداد واقعی آن اتم ها را در یک مولکول نشان می دهد. وقتی فقط یک اتم از یک عنصر ...
به خواندن ادامه دهیدسیلیکون متال ترکیبی از عناصر مختلفی مثل سیلیسیوم، کلسیم، آلومینیوم و …. می باشد. لازم به ذکر است که درصد وزنی و درصد خلوص عناصر به کار رفته در سیلیکون متال ( Silicon Metal ) متفاوت بوده و این تفاوت ها ...
به خواندن ادامه دهیددر صورتی که دو محیط مغناطیسی نباشند، میتوان ضریب نفوذپذیری (تراوایی) مغناطیسی را برای هر دو آنها $$mu=mu_{0}$$ در نظر گرفت. ... در صورتی که محیط مغناطیسی نباشد، $$mu_{r}$$ برابر با یک بوده و …
به خواندن ادامه دهیدغِشا یا مِمبران (به انگلیسی: Membrane) به معنای پوسته است. غشا دارای نفوذپذیریِ انتخابی است که مانند سد عمل میکند. یکی دیگر از کاربردهای آن رفع ابهام از فرایندهای غشایی است. در کل، به هر نوع پوسته ...
به خواندن ادامه دهیدآلترناتور یک دستگاه مولد که انرژی مکانیکی را از طریق قطع خطوط قوای مغناطیسی به انرژی الکتریکی تبدیل می کند. اجزا الترناتور، رگولاتور شارژ
به خواندن ادامه دهیدمواد دیامغناطیس آن دسته از موادی هستند که با قرار گرفتن در میدان مغناطیسی خاصیت مغناطیسی پیدا میکنند. با این حال مغناطش آنها در خلاف جهت میدان مغناطیسی اعمال شده است. موادی که این خاصیت مغناطیسی را نمایش میدهند به ...
به خواندن ادامه دهیدآهنربای الکتریکی چیست و چه کاربردی دارد؟. آهنربای الکتریکی نوعی آهنربا است که در میدان مغناطیسی توسط جریان الکتریکی تولید می شود. این آهنربا از یک سیم پیچ تشکیل شده که جریان عبوری از آن یک ...
به خواندن ادامه دهیدقانون دوم فیک این مسئله که چگونه نفوذ غلظت را با گذشت زمان تغییر می هد، پیشبینی میکند. این یک معادله نفوذ نسبی است که به صورت یک بعدی خوانده میشود: {displaystyle } که در آن. φ غلظت در ابعاد ( مقدار ...
به خواندن ادامه دهیددر هر دو نوع طراحی هستهی ترانسفورماتور، شار مغناطیسی که سیمپیچهای اولیه و ثانویه را بههم متصل میکند؛ بهطور کامل در داخل هسته حرکت میکند و از طریق هوا، هدر نمیرود.
به خواندن ادامه دهیدمواد با نفوذپذیری بالا خطوط میدان مغناطیسی را بهتر از مسیر اصلی خود هدایت می کند. در حالی که پدیده مشابه نیست، اما این واقعیت را به ما یادآوری می کند که الکتریسیته مسیر کمترین مقاومت را طی می ...
به خواندن ادامه دهیددلیل این موضوع که بعضی از آهنرباهای مولکولی به رفتار تصادفی خود برنمیگردند و در جهت میدان مغناطیسکنندگی اصلی باقی میمانند و به نوعی، «حافظه» پیدا میکنند، آن است که برخی مواد فرومغناطیس، پایداری مغناطیسی بالایی ...
به خواندن ادامه دهیدتبلور پلیمرها (به انگلیسی: Crystallization of polymers) فرایندی است که با ترازبندی نیمه کامل زنجیرههای مولکولی آنها همراه است. این زنجیرهها با هم جمع میشوند و مناطق مرتب شدهای به نام لاملا ( lamellae) را ...
به خواندن ادامه دهید