- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
Infineon's CoolSiC MOSFET 1200 V in a TO-247 package using .XT interconnection technology for packaging significantly enhances the thermal performance and reliability of the device. Together with a …
به خواندن ادامه دهید
تولید کل در مقایسه سایر محصولات سرامیکی صنعتی مانند صنعت آجر یا محصولات دیرگداز، کم می باشد( جدول 1 را ببینید). بدنه های بهداشتی نسبت ارزش به وزن متفاوتی نسبت به آجر و محصولات دیرگداز دارند.
به خواندن ادامه دهید
گروه صنعتی کاسپین؛ نمایندگی اینفنون (Infineon) با توجه به رشد فزاینده نیاز به فن آوری های اتوماسیون صنعتی، طی سال های اخیر شاهده خیز بلندی در توسعه و ارتقای فن آوری های مربوط به اتوماسیون صنعتی ...
به خواندن ادامه دهید
3 تولید محصولات آرایشی و بهداشتی، صنایع دستی زیبایی و درم ابریژن و غیره 4 محصولات سرامیکی 5 چرخ سنگ زنی، کاغذ سنباده و غیره
به خواندن ادامه دهید
Contact Details. HENAN CHENG ZHI JIN KAI INTERNATIONAL TRADE CO., LTD. Contact Person: Mr. Yang. Send your inquiry directly to us ( 0. Address: RM. 921, BLDG. 1, …
به خواندن ادامه دهید
SiC لایه‌ی اول نسوز در کورههای اکسایتون اکسایتون از سال ۱۳۷۹، پس از سه سال آزمون مثبت عملی برای اولین بار، یک کمپوزیت سرامیک-سرامیک پیشرفته بر اساس α-SiC را جایگزین لایه‌ی اول نسوز مرسوم در کورههای خود نمود.
به خواندن ادامه دهید
The outstanding material properties of silicon carbide (SiC) enable the design of fast-switching unipolar devices as opposed to IGBT (Insulated Gate Bipolar …
به خواندن ادامه دهید
The Evaluation Board EVAL-1EDC20H12AH-SIC is intended to evaluate the Infineon EiceDRIVER ™ 1EDC20H12AH or 1EDI20H12AH together with the Infineon SiC MOSFET IMZ120R045M1 in an application circuit to understand the features and performance of both devices. The board contains two gate drivers to drive two SiC MOSFET switches in half …
به خواندن ادامه دهید
15.11.2022 - 14:26. Infineon Technologies and Stellantis have signed a non-binding memorandum of understanding as the first step towards a possible multi-year supply cooperation for silicon carbide (SiC) semiconductors. Under the agreement, Infineon would reserve manufacturing capacity and supply corresponding chips to Stellantis' direct Tier ...
به خواندن ادامه دهید
Infineon semiconductor solutions - MCUs, sensors, automotive & power management ICs, memories, USB, Bluetooth, WiFi, LED drivers, radiation hardened devices.
به خواندن ادامه دهید
パワーのドイツInfineon Technologies（インフィニオンテクノロジーズ）が、SiC（シリコンカーバイド）でをかける。2025をに、200mm（8インチ）のSiC（ウエハー）で、のにくSiCパワー（、パワー）をする。2020924にした ...
به خواندن ادامه دهید
تولید اجزای c/sic با استفاده از پیش ماده های پلیمری، روش نفوذ پلیمر مذاب (lpi) یا نفوذ پلیمر و پیرولیز (pip) نامیده می شود. این روش، یکی از مناسب ترین روش های تولید قطعات cmc بزرگ و پیچیده در صنعت هوافضا، می
به خواندن ادامه دهید
It offers a scalable power range of 100 kW to 180 kW within the 750 V and 1200 V class. This product is Infineon's market-leading power module with a track record of more than one million pieces shipped for more than 20 electric vehicle platforms. The new CoolSiC version is based on Infineon's silicon carbide trench MOSFET structure.
به خواندن ادامه دهید
Learn about the latest trends and innovations in switching power from Infineon's senior director at APEC 2022. This pdf document provides an overview of Infineon's portfolio of power management solutions and how they enable higher efficiency, reliability and performance in various applications.
به خواندن ادامه دهید
Figure 1: Planar DMOS SiC MOSFET (left), and vertical trench TMOS SiC MOSFET with the corresponding location of resistance-relevant contributions Infineon_feature.qxp_Layout 1 19/06/2020 08:17 Page 15
به خواندن ادامه دهید
How does Weibull Plot look like for SiC and Si MOSFETs? (same area and gate oxide thickness) 𝒍 − 𝒍 − 𝑭 𝒍 -2-6 1 chip life SiC MOSFET Si MOSFET At the end of processing (EOP): SiC MOSFETs →much larger extrinsic defect density Many decades of development away to drop extrinsic GOX defect density below 1% at EOP in modern SiC MOSFETs
به خواندن ادامه دهید
محصولات سرامیکی به دلیل زیبایی، تنوع محصول در طرح و اندازه، استحکام، کیفیت و قیمت مناسب انتخاب اول بسیاری از مشتریان است. ... با توجه به ظرفیت بالا و تعداد خطوط تولید، این شرکت قادر است به ...
به خواندن ادامه دهید
How does Weibull Plot look like for SiC and Si MOSFETs? (same area and gate oxide thickness) 𝒍 − 𝒍 − 𝑭 𝒍 -2-6 1 chip life SiC MOSFET Si MOSFET At the end of processing (EOP): SiC MOSFETs →much larger extrinsic defect density Many decades of development away to drop extrinsic GOX defect density below 1% at EOP in modern SiC MOSFETs
به خواندن ادامه دهید
تولید و عرضه می‌شود. مهمتر‌ین مشخصه شناسایی فیلترهای سرامیکی علاوه بر ابعاد و شکل ظاهری آنها، تعداد سوراخ های در اینچ طولی می‌باشد. این عدد از 10 الی 60 می‌باشد ولی متداول‌ترین و پرمصرف ...
به خواندن ادامه دهید
سرامیک (به انگلیسی: Ceramic) یک ماده جامد غیر فلزی غیر آلی است که از ترکیبات فلزی یا غیر فلزی تشکیل شده و با گرم شدن در دمای بالا شکل گرفته و سپس سخت شده‌است. به‌طور کلی، سرامیک‌ها موادی سخت ...
به خواندن ادامه دهید
چکیده. جایگزینی موفقیت آمیز آلیاژهای فلزی بوسیله ی کامپوزیت های زمینه سرامیکی (cmc) در اجزای دما بالای موتورها، نیازمند توسعه ی مواد ساختاری و فریندهایی خواهد بود که بتوانند سیستم های cmc با ظرفیت حرارتی بالا تولید کرد.
به خواندن ادامه دهید
The production ramp of the silicon carbide (SiC) MOSFET base technology has been safely completed, Infineon is now bringing the most comprehensive discrete SiC portfolio for industrial applications to the market. The 1200 V CoolSiC™ MOSFET devices are rated from 30 mΩ to 350 mΩ and implemented into TO247-3 and TO247-4 housings.
به خواندن ادامه دهید
Enter to win the new EVAL-1ED3142MU12F-SiC. Register now to win this entry-level evaluation kit designed to evaluate the functionality and capability of two 1200 V CoolSiC™ MOSFETs and Infineon's new 1ED3142 gate driver IC in a half-bridge configuration. Comes with the EVAL-PSIR2085 isolated power supply board to get you up and running quickly!
به خواندن ادامه دهید
− The material itself with its specific defect structures, anisotropies, mechanical and thermal properties etc. − The larger bandgap with its implications on the density and dynamics of interface traps in MOS based devices − Up to about 10x higher electrical fields in operation within the material itself and at the outside interfaces, e.g. device edges (including new …
به خواندن ادامه دهید
Infineon is currently expanding its SiC manufacturing capacity in order to reach a market share of 30 percent by the end of the decade. Infineon's SiC manufacturing capacity is about to increase tenfold by 2027. A new plant in Kulim is scheduled to start production in 2024. Today, Infineon already provides SiC semiconductors to more than ...
به خواندن ادامه دهید
650 V up to 2000 V CoolSiC™ MOSFET discretes ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC™ MOSFET portfolio ...
به خواندن ادامه دهید
Figure 1: Planar DMOS SiC MOSFET (left), and vertical trench TMOS SiC MOSFET with the corresponding location of resistance-relevant contributions …
به خواندن ادامه دهید
With 30 years of experience in silicon carbide (SiC) technology development, Infineon's portfolio of CoolSiC™ solutions addresses customer needs for smarter, more efficiency …
به خواندن ادامه دهید
Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFET solutions are the next essential step towards an energy-smart world. Based on volume experience and compatibility know-how, Infineon …
به خواندن ادامه دهید
Infineon's SiC manufacturing capacity is about to increase tenfold by 2027. A new plant in Kulim is scheduled to start production in 2024. Today, Infineon already provides SiC semiconductors to more than 3,600 customers worldwide. About Infineon Further information is available at
به خواندن ادامه دهید
Infineon has a market-leading role as a high-quality and high-volume supplier to the automotive industry. Infineon is preparing for the accelerated demand of the industry with significant investments. In 2024, for example, Infineon's new fab for SiC technologies will start manufacturing in Kulim, Malaysia.
به خواندن ادامه دهید
ویسکرزهای SiC که تقریباً تک کریستال هستند، از روش های مختلفی تولید می شوند مثل گرمایش سبوس برنج، واکنش سیلان ها، واکنش سیلیکا و کربن و تصعید پودر SiC. در برخی از روش ها از یک جزء سوم مثل آهن ...
به خواندن ادامه دهید