- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
به تکنولوژی‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده می‌کنند Bicmos می‌گویند. البته نقطه کار این ترانزیستورها نسبت به دما حساس است وتغییر می‌کند.
به خواندن ادامه دهید
• SiC MOSFETs Have Built-In Body Diode That Can Be Exploited In Applications Requiring Antiparallel Conduction • Third Quadrant IV Characteristics are Parallel Combination of SiC MOSFET and PN diode • Applying Positive Gate Bias Turns the SiC MOSFET Fully On • Conduction is Symmetric for Positive and Negative VDS – …
به خواندن ادامه دهید
MOSFET delivers the least amount of power at 2 kW. However, the peak efficiency observed is only about 0.25% lower than the SiC MOSFET. Unfortunately, due to high conduction losses, the efficiency drops rapidly as current is increased. Comparison at 100 kHz The tests at 100 kHz compared only the SiC MOSFET and the Si MOSFET. The
به خواندن ادامه دهید
در این حالت وقتی به Gate و source ولتاژی بایاس معکوس اعمال کنیم. وضعیت تغییر می کند. اگر ولتاژ اعمالی به Gate و source معکوس باشد یعنی Gate نسبت به S منفی باشد، در این حالت ناحیه تخلیه باز هم بزرگتر می شود و به ازای ولتاژ گرایش معکوس ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست؟ ترانزیستور یک نیمه هادی مینیاتوری است که جریان یا ولتاژ را تنظیم و یا کنترل می کند و علاوه بر تقویت و تولید این سیگنال های الکتریکی، به عنوان یک کلید برای آنها عمل می کند.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور، یک وسیله نیمه هادی جریان محور است که می تواند برای کنترل جریان الکتریکی استفاده شود که در آن مقدار کمی جریان در لید پایه، جریان بزرگتری را بین کلکتور و امیتر کنترل می کند.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی فلزات اکسید یک عنصر فعال با سه ترمینال هستند که از مواد نیمه هادی مختلف ساخته شده اند که می‌توانند به عنوان یک عایق یا هادی ولتاژ سیگنال کوچک عمل کنند.
به خواندن ادامه دهید
نیمه هادی ها می‌توانند ترکیباتی مانند گالیم آرسنید یا عناصر خالص مانند ژرمانیوم یا سیلیکون باشند. ... مرکب نیز برای تولید دیودهای نوری، ساطع‌کننده نور و دیودهای لیزر استفاده می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
نمودار I-V خصوصیات و طرح‌های خروجی از JFETنوع n. ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت (به انگلیسی: junction gate field-effect transistor یا JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک ...
به خواندن ادامه دهید
ویژگی‌های ترانزیستور. ۱- ترانزیستور از عناصری به نام نیمه هادی مانند سیلیکون و ژرمانیوم ساخته می شود نیمه هادی ها جریان الکتریسیته را نسبتا خوب (اما نه به اندازه ای خوب که رسانا خوانده شوند مانند مس و آلومنیوم و تقریبا ...
به خواندن ادامه دهید
دنیای اطلاعات: ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات الکترونیکی و الکتریکی است که برای تقویت و قطع و وصل سیگنال‌های الکترونیکی و توان الکتریکی کاربرد دارد. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند ...
به خواندن ادامه دهید
در ادامه مجموعه مقالات جامع مجله فرادرس، مقالات آشنایی با قطعات الکترونیک قدرت را ارائه می‌کنیم. دیود پیوند PN ، یکی از ساده‌ترین انواع نیمه‌هادی‌ها به شمار می‌رود که به معرفی آن پرداخته ...
به خواندن ادامه دهید
Apr 01, 2020 at 10:00am ET. By: Mark Kane. Cree, one of the market leaders in silicon carbide (SiC) power electronics, introduced new Wolfspeed 650V SiC MOSFETs, which …
به خواندن ادامه دهید
اصل کار ماسفت. اصلی ترین کار ماسفت این است که بتواند جریان ولتاژ و جریان بین پایانه‌های منبع و تخلیه را کنترل کند. تقریباً مانند یک سوئیچ کار می‌کند و عملکرد دستگاه بر اساس خازن MOS است. خازن MOS ...
به خواندن ادامه دهید
خلاصه بررسی ترانزیستور تک پیوندی. ترانزیستور تک پیوندی یا به‌اختصار UJT، یک نیمه‌هادی سه سر است که در پالس دریچه‌ای، مدارهای زمان‌بندی و برنامه‌های راه‌انداز ژنراتور برای تغییر و کنترل ...
به خواندن ادامه دهید
1# نیمه هادی چیست؟ (semiconductor) نیمه هادی در واقع یک ماده است که بیشتر از یک عایق (مانند شیشه) اما کم تر از یک هادی خالص (مانند مس یا آلومینیوم) برق را انتقال می دهد و. معمولا از سیلیکون تشکیل شده است ...
به خواندن ادامه دهید
در صنعت، بیشتر از ترانزیستورهای نوع npn استفاده می‌شود. تشخیص نام پایه های ترانزیستور BJT هر ترانزیستور سه پایه یا پین دارد: امیتر (E)، بیس (B) و کلکتور (C).
به خواندن ادامه دهید
یک نیمه هادی اکسید فلزی مکمل، نوعی فناوری است که برای توسعه مدارهای مجتمع استفاده می شود. چنین فناوری در ساخت تراشه های مدار مجتمع (IC) مانند ریزپردازنده ها، میکروکنترلرها، تراشه های حافظه و ...
به خواندن ادامه دهید
آنها از میدان الکتریکی برای کنترل هدایت الکتریکی یک کانال استفاده می کنند. fet به jfet (ترانزیستور جلوه ای اثر میدان) و mosfet (ترانزیستور تأثیر میدان نیمه هادی فلز اکسید فلزی) طبقه بندی می شود.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای بیپولار و ترانزیستورهای فلز-نیمه‌هادی شامل سه لایه نیمه‌رسانای نوع n و p هستند، در حالی که ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه‌هادی (mosfet) دارای لایه اکسیدی هستند که بین دروازه و ...
به خواندن ادامه دهید
بر پایه‌ی این قانون، تعداد ترانزیستورهای نیمه‌هادی در یک مدار در هر دو سال، دو برابر می شود. فناوری نسل کنونی از فناوری مقیاس ۱۴ نانومتری، با نیمه‌هادی‌های ۱۰ نانومتری استفاده می‌کند.
به خواندن ادامه دهید
بدون ترانزیستورها، تکنولوژی که هر روز استفاده می‌کنید ... در دهه 1970 منجر به تولید ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی اکسید فلزی (mosfet) شد. ... که در این ناحیه کار می کند برای تقویت استفاده می شود. ff.
به خواندن ادامه دهید
در جلسه‌ی پرسش‌و‌پاسخی که پس از سخنرانی برگزار شد، میبری ادعا کرد تولید انبوه ترانزیستورهای نانوسیم (Nanowire) را تا پنج سال آینده ممکن می‌دادند. پیش‌بینی او به‌نوعی هدفی ملموس برای اینتل و ...
به خواندن ادامه دهید
BJT یکی از رایج‌ترین انواع ترانزیستور است و می‌تواند NPN یا PNP باشد. درواقع یک ترانزیستور BJT از سه پایانه تشکیل شده است: امیتر، بیس و کلکتور. یک BJT می‌تواند یک سیگنال الکتریکی را تقویت کند یا ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورها قطعات اکتیو سه‌سری هستند که از مواد نیمه‌هادی مختلف ساخته شده‌اند و می‌توانند در کاربردهای ولتاژ سیگنال کوچک به عنوان یک عایق یا یک رسانا عمل کنند. توانایی ترانزیستور در ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور ماسفت به زبان پایدارالکترونیک: یک ترانزیستور اثر میدانی فلز اکسید نیمه هادی است که برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال‌های الکترونیکی استفاده می‌شود. اگرچه ماسفت یک دستگاه چهار ...
به خواندن ادامه دهید
FWD = Internal Body Diode of MOSFET Fig. 25 E OFF Turn Off Switching Energy (Body Diode) 214 E ON Turn-On Switching Energy (External Diode) 392 μJ V DS = 400 V, V GS = -4 V/15 V, I D = 33.5 A, R G(ext) J = 175ºC FWD = External SiC DIODE Fig. 25 E OFF Turn Off Switching Energy (External Diode) 238 t d(on) Turn-On Delay Time 14 ns V DD = …
به خواندن ادامه دهید
1# دیود چیست؟. (Diode) دیود یکی از انواع قطعات نیمه هادی دو پایه است که در مدارهای الکترونیکی بسیاری استفاده می شود و. جریان الکتریکی را در یک جهت هدایت کرده و در جهت مخالف آن مانع عبور جریان از ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست؟ ترانزیستورها قطعات اکتیو سه‌سری هستند که از مواد نیمه‌هادی مختلف ساخته شده‌اند و می‌توانند در کاربردهای ولتاژ سیگنال کوچک به عنوان یک عایق یا یک رسانا عمل کنند. توانایی ترانزیستور در تغییر بین این ...
به خواندن ادامه دهید
امروزه نیمه هادی ها به یک سطح بالایی از پیچیدگی ها و تکامل در رابطه با کاربرد آنها در منابع تغذیه سوئیچینگ رسیده اند. با وجود این همه تکامل در نیمه هادی ها، آن ها آسیب پذیرترین قطعات در یک منبع ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست؟ انواع ترانزیستور: ترانزیستور به عنوان یک قطعه نیمه هادی تعریف می شود که اساساً با سه پایانه برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال های الکترونیکی و اهداف برق ساخته شده است.به عنوان تقویت کننده، آن ها در سطوح ...
به خواندن ادامه دهید
در این آموزش با ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا ترانزیستور jfet آشنا می‌شویم. در آموزش مربوط به ترانزیستور پیوندی دوقطبی دیدیم که جریان خروجی کلکتور، متناسب با جریان ورودی گذرنده از بیس است که سبب می‌شود ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهید